|
Родился
22 мая 1903 года
в городе Белая Церковь,
ныне - Киевской области
Украины, в
семье кузнеца-колесника - владельца
небольшой мастерской.
После окончания Белоцерковской
двухгодичной еврейской школы,
Бенцион Вул
учился в
высшем начальном училище, затем - в
гимназии города Белая Церковь.
В 1920 году
гимназист
Вул добровольцем
вступил
в
Рабоче-Крестьянскую
Красную Армию.
Воевал в Первой конной армии.
В начале 1921 года,
как
не
достигший 18-летнего возраста,
он был демобилизован.
По возвращении в
родной город был избран секретарем городской
организации
комсомола
и на
этой работе оставался несколько месяцев.
В 1921 году решением Киевского
Губернского комитета комсомола
Бенцион Вул
был направлен
на
учёбу
в
Киевский политехнический институт, где
был зачислен
на
электротехнический факультет.
Учёбу совмещал
с
комсомольской работой, а
в 1922 году
стал членом ВКП
(б).
Выполненная
Вулом
дипломная работа представляла собой проект тепловой
электростанции
для
будущего Днепрогэса.
Ещё
во
время работы
над
дипломом был зачислен
в
аспирантуру
электротехнического факультета Киевского политехнического института.
В январе 1928 году
он окончил институт
и
продолжил
в
нём свою деятельность
в качестве
аспиранта
на
кафедре электротехники.
Итогом стала успешно защищённая
(в
конце 1929 года)
диссертация
на
соискание
учёной степени кандидата физико-математических наук.
В начале 1930 года
Бенцион Моисеевич Выл
был рекомендован Киевским окружным партийным
комитетом
в
качестве аспиранта Академии
наук СССР.
В
том же году он переехал
в
Ленинград.
С 1932 года
работал
в
лаборатории диэлектриков в
Физическом институте
Академии наук СССР, под
руководством Выдающегося учёного, академика
Абрама Фёдоровича Иоффе.
Занимался проблемой электрической прочности твердых диэлектриков
и газов.
С лета 1934 года
Бенцион Моисеевич
жил
и работал
в городе Москве,
куда переехали Физический
и математический институты,
а также - Академия наук СССР.
18 декабря 1934 года по
инициативе директора института, академика
Сергея Ивановича Вавилова
институту было присвоено имя Выдающегося
русского физика
Петра Николаевича Лебедева.
С этого
же времени
Б.М. Вул
возглавлял лабораторию физики диэлектриков, организованную им по
предложению
С.И. Вавилова.
Этой лабораторией, впоследствии преобразованной
в лабораторию физики полупроводников,
Бенцион Моисеевич
бессменно руководил более полувека.
В 1935 году по совокупности работ, посвящённых изучению электрического
пробоя диэлектриков ему была присуждена учёная
степень доктора
физико-математических наук.
В конце 1938 года он окончил
аспирантуру Академии наук и был оставлен
в Академии наук СССР в качестве учёного-специалиста.
28
января 1939 года Бенцион Моисеевич Вул
был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР
по Отделению технических наук
(по специальности "физика").
В годы Великой Отечественной войны
Б.М. Вул являлся заместителем Директора
Физического института имени П.Н. Лебедева АН СССР
, находившегося
в эвакуации в Казани и продолжал руководить
лабораторией диэлектриков.
Под его руководством в лаборатории были разработаны высокочастотные
керамические конденсаторы с очень малым температурным коэффициентом
ёмкости, большой механической прочностью и другими
параметрами,
необходимыми для стабильной работы.
Работа по их разработке и внедрению на заводе
конденсаторов была успешно
выполнена сотрудниками Лаборатории диэлектриков
(Б.М. Вул,
Г.И. Сканави,
Р.Я. Разбаш,
Н.А. Ирисова,
Н.Л. Строганова)
совместно с группой академика
Ильи Васильевича Гребенщикова
из Института химии силикатов АН СССР
(В.П.
Барзаковской,
С.К. Дуброво,
В.А. Бочкарева).
При непосредственном участии Б.М. Вула
сотрудниками его лаборатории
была открыта новая форма пробоя (последовательного)
диэлектрика.
Бенцион Моисеевич
изучал электрические разряды в газах
в однородных
и неоднородных полях при различных давлениях;
исследовал твёрдые
диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью.
Им обнаружены явления в
диэлектриках при сильном гамма-облучении, установлены основные закономерности изменения
электропроводности диэлектриков
под действием гамма-излучения.
В 1944 году он открыл и
исследовал сегнетоэлектрические свойства
титаната бария, чем положил начало созданию нового класса
диэлектриков.
Активные
исследования в области физики полупроводников, развернутые
в 1948 году
в лаборатории Б.М. Вула,
привели к тому,
что уже в 1952-1953 годах были созданы
первые в СССР плоскостные диоды и
транзисторы и первые в мире диффузионные транзисторы.
Эти работы сыграли
большую роль в становлении отечественной
полупроводниковой электроники.
Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели
к
созданию Б.М. Вулом
кремниевых фотоэлементов солнечных батарей,
нашедших очень широкое применение: от
карманных калькуляторов
и наручных часов до космических аппаратов
различного назначения и космических (орбитальных)
радиотелескопов.
Б.М. Вул создал
диффузионный транзистор и предложил р-n-переходы
в полупроводниках использовать в
качестве нелинейных конденсаторов.
В 1962 году совместно с коллегами он
создал первый в СССР
полупроводниковый квантовый генератор.
Совместно с академиком
Николаем Геннадьевичем Басовым и
профессором Юрием
Михайловичем Поповым,
Бенцион Моисеевич Вул
предложил идею создания полупроводниковых лазеров, эксимерных
лазеров, возбуждаемых
электронным пучком.
Эта идея была воплощена в 1963 году.
С первых шагов полупроводниковой электроники стало ясно, что её
развитие
тесно связано с поиском новых полупроводниковых материалов,
совершенствованием экспериментальных измерительных методик и
разработкой новых технологий
получения этих материалов.
В 1964-1971 годах под руководством
Б.М. Вула выполнен цикл исследований свойств теллурида кадмия -
перспективного материала для изготовления детекторов
и счётчиков
радиоактивного излучения и фотопреобразователей.
Еще одним объектом
интенсивных исследований в лаборатории Вула стали узкощелевые полупроводники
- селенид и теллурид свинца, и твердые растворы
на их основе.
Фундаментальное значение имеют выполненные
Б.М. Вулом исследования
электропроводности в компенсированных
полупроводниках.
28 ноября
1972 года
Бенцион Моисеевич Вул был избран Действительным
членом
Академии наук СССР по
Отделению
общей физики и астрономии
(по
специальности "физика").
Значительный вклад в развитие отечественной физики
Б.М. Вул внёс,
будучи заместителем академика-секретаря и членом бюро Отделения
общей физики
и астрономии АН СССР, а также председателем Научного совета АН
СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников",
координировавшего в то время исследования
в этой области.
Много внимания Бенцион Моисеевич
уделял подготовке
высококвалифицированных научных кадров.
В течение ряда лет преподавал физику полупроводников в Киевском
политехническом институте, в Ленинградском политехническом институте,
в Военно-воздушной инженерной Академии имени Н.Е. Жуковского.
Многие его аспиранты стали известными физиками, работающими
ныне в различных научных центрах страны.
Деятельность академика Вула в
международных научных организациях
в качестве вице-президента Международного союза теоретической
и прикладной физики и члена исполкома Европейского физического
общества способствовала упрочению научных связей с научными
организациями
и учёными других стран.
Он до последнего дня своей жизни
активно вёл научную деятельность
и много
выступал в центральной печати и в журналах,
пропагандируя
достижения науки.
Входил в состав редколлегий нескольких научных журналов, в
течение многих
лет был членом Главной редакции Большой Советской Энциклопедии
и Главным редактором 5-томного Физического энциклопедического словаря,
вышедшего в свет в 1960-1966 годах.
Награды:
Указом Президиума Верховного Совета СССР от 13 марта 1969
года
"За большие заслуги в развитии Советской науки"
Вулу Бенциону
Моисеевичу
было присвоено звание Героя Социалистического Труда
с
вручением ордена Ленина и золотой медали "Серп и Молот".
Постановлением Совета Министров СССР
"За открытие
(в 1945 году)
и исследование сверхвысокой диэлектрической
проницаемости титанита бария, результаты которых изложены в статьях
"Диэлектрическая проницаемость титанитов металлов II группы", "Зависимость
диэлектрической проницаемости титанита бария от давления", "Диэлектрическая
проницаемость в зависимости от напряжённости в переменном поле",
"Диэлектрическая
проницаемость титанита бария при низких температурах"
член-корреспондент Академии наук СССР,
заведующий лабораторией
ФИАН имени П.Н. Лебедева Вул Бенцион Моисеевич
был удостоен
Сталинской премии II степени в размере 100 000
рублей.
Постановлением ЦК КПСС и Совета Министров СССР о 21 апреля 1964 года
"За фундаментальные исследования, приведшие к созданию
полупроводниковых квантовых генераторов"
член-корреспондент Академии наук СССР,
заведующий лабораторией ФИАН имени П.Н. Лебедева
Вул Бенцион Моисеевич был
удостоен Ленинской премии
в составе научного коллектива.
Вместе с ним этой премии были удостоены:
Крохин Олег Николаевич,
Попов Юрий Михайлович,
Шотов Алексей Петрович -
научные сотрудники
ФИАН имени П.Н. Лебедева;
Наследов
Дмитрий Николаевич,
Рывкин
Соломон Меерович -
заведующие
лабораториями;
Рогачёв Александр Александрович,
Царенков Борис Васильевич
-
научные сотрудники
ФТИАН имени А. Ф. Иоффе.
Бенцион Моисеевич Вул
был также награждён ещё четырьмя
орденами Ленина (1945,
1953, 1963, …),
орденами Октябрьской Революции,
Трудового Красного Знамени, Красной Звезды,
"Знак Почёта", медалями.
|
