-
 


Лауреат премии Ленинского комсомола;
член-корреспондент Российской Академии наук;
Доктор физико-математических наук; Профессор;
Руководитель группы
Физического института
имени П.Н. Лебедева Академии наук СССР;
заведующий Лабораторией лазерной
спектроскопии твёрдого тела, заместитель
директора Научного центра лазерных
материалов и технологий
Института общей физики
имени А.М. Прохорова Российской Академии наук;

 
 

научный руководитель Учебно-научного центра
ИОФАН-КГТА (Ковровской государственной технологической академии имени
В.А. Дегтярёва, Владимирская область
);
учёный в области физики твёрдого тела,
физики лазерных кристаллов, спектроскопии
твёрдого тела;
специалист в области создания
материалов фотоники

 
-
-
     
 


Родился
23 сентября 1947 года в Москве.
По национальности - осетин.


В 1972 году
Тасолтан Тазретович Басиев окончил Московский
энергетический институт
.

В 1972 – 1984 годах занимался научной деятельностью в секторе монокристаллов Физического института имени П.Н. Лебедева Академии наук СССР
(ФИАН) и активно участвует в самых актуальных разработках в области лазерной спектроскопии твёрдого тела и физики лазерных кристаллов.

Работая в ФИАНе
Тасолтан Тазретович прошёл путь от младшего научного сотрудника до руководителя группы, занимаясь селективной лазерной спектроскопией твёрдого тела, и внёс выдающийся вклад в область
физики твердого тела
.

В 1977 году
Т.Т. Басиев защитил диссертацию на соискание учёной степени "кандидат физико-математических наук" на тему "Электронный перенос энергии между редкоземельными ионами в лазерных матрицах", продолжая тематику, которая интересовала его ещё в студенческие годы.

В 1984 году им была блестяще защищена докторская диссертация на тему "Селективная лазерная спектроскопия активированных кристаллов и стекол",
в которой анализировалось и интерпретировалось огромное количество уникальных экспериментальных результатов.

а
в 1984 году - докторскую диссертацию "Селективная лазерная спектроскопия активированных кристаллов и стекол".

С 1984 года он являлся заведующим Лабораторией лазерной спектроскопии
твёрдого тела Института общей физики
Академии наук СССР (ИОФАН,
ныне -
Института общей физики имени А.М. Прохорова Российской Академии наук),
а с 1999 года он - заместитель директора Научного центра лазерных материалов
и технологий ИОФАН.

Он также являлся научным руководителем Учебно-научного центра
ИОФАН-КГТА
(Ковровской государственной технологической академии
имени В.А. Дегтярёва
, Владимирская область
).

Т.Т. Басиев - специалист в области создания материалов фотоники.
Им впервые создана фторидная лазерная нанокерамика,
новые лазерные монокристаллы; созданы твердотельные лазеры с энергией
свыше 100 Дж
(100 нс), пиковой мощностью более 200 ГВт (500 фс);
разработаны новые ВКР-кристаллы и ВКР лазеры
(кристаллы и лазеры
на вынужденном комбинационном рассеивании света), превосходящие
мировые аналоги
.

По инициативе
Т.Т. Басиева в ИОФ РАН начаты работы по разработке технологии лазерной керамики, приведшие к созданию уникальных фторидных лазерных материалов.

Тасолтан Тазретович Басиев

Тасолтан Тазретович Басиев обнаружил связь между оптическими
характеристиками ВКР
и строением сложных анионных и катионных групп
в кристаллах.
На базе новых лазерных ВКР-кристаллов с рекордным усилением создана
гамма пико-
и наносекундных ВКР-лазеров в различных областях спектра
с энергией более одного джоуля и пиковой мощностью в десятки мегаватт.

С участием
Тасолтана Тазретовича развиты физико-химические методы поиска новых материалов для лазеров среднего инфракрасного диапазона (3-5 мкм),
созданы и изучены субнаноразмерные комплексы редкоземельных ионов, когерентно связанные сильным квадруполь-квадрупольным взаимодействием, которые могут служить прототипом квантовых вычислительных устройств,
открыто явление кооперативной безызлучательной кросс-релаксации.

Им обнаружены нелинейные концентрационные закономерности квантового
выхода люминесценции
, обусловленные многочастичным кооперативным
переносом энергии
и down-конверсией.

Т.Т. Басиевым предложено использовать нанокластеры (Nd3+–Fi–)2, (Nd3+–Fi–)4
и
(Nd3+–Fi–)6 в кристаллах CaF2, SrF2 и CdF2 в качестве логических элементов
с перепутанными квантовыми состояниями для обработки информации;
установлен квадрупольный механизм когерентного перепутывания в нанокластерах и ослабленная декогерентизация; разработаны методы нанофотоники РЗ
ионов
в лазерных кристаллах и стёклах; открыто явление кооперативной “down”конверсии с квантовым выходом 200%; развита теория и показана возможность управлять излучательными характеристиками нанокристаллов,
что важно при создании двухфазных лазерных сред.

Т.Т. Басиеву принадлежит ключевая роль в разработке технологии изготовления
и в исследованиях кристаллов фторидов с центрами окраски для перестраиваемых лазеров.
В результате были изготовлены крупные серии лазерных кристаллов с высоким контрастом излучения и коэффициентом полезного действия, определившим рекордные характеристики лазерных устройств, превосходящие мировой уровень.

Результаты этих исследований
во многих случаях привели к разработке и внедрению
в практику целого ряда оборудования и приборов для оборонной, авиационной
и ракетно-космической отраслей, астрономии, медицины и экологии, и не имеющих аналогов в отечественном и зарубежном приборостроении.

Т.Т. Басиев - член Комиссии Российской Академии наук по премиям для молодых учёных России, Научного совета РАН по спектроскопии атомов и молекул,
редколлегий журналов "Optical Materials" и “Квантовая электроника",
а также диссертационного докторского совета.

Он был избран Почётным членом Университета Кантербери
(Новая Зеландия)
и членом Американского Оптического общества.

Под руководством
Тасолтана Тазретовича Басиева защищено 16 кандидатских
и 2 докторских диссертации.

Он - автор и соавтор 412 научных работ, из них 36 обзоров, 4 монографий
и 28 патентов.

В 1991 году ему было присвоено звание профессора.

29 мая 2008 года
Тасолтан Тазретович Басиев избран членом-корреспондентом
Российской Академии наук по Отделению нанотехнологий и информационных технологий
(специальность "Нанотехнологии").

Т.Т. Басиев являелся членом Российского и Московского оптических обществ, Европейского физического общества, Американского оптического общества, Академиком Академии инженерных наук имени А.М. Прохорова, избранным членом
и членом почетного комитета Американского оптического общества.

Премии:
"За исследование физических процессов в активных средах газовых и твёрдотельных оптических квантовых генераторов" в 1976 году Тасолтан Тазретович Басиев (в составе научного коллектива
: Т.Т. Басиев, В.П. Автономов,
М.З. Новгородов, В.Н. Очкин, И.А. Щербаков, Т.Г. Мамедов) был удостоен
Премии Ленинского комсомола, а в 1988 году за это же был удостоен Международной премии Академии наук СССР и Венгерской Академии в области физики твёрдого
тела
и лазерной физики
.

Он также стал обладателем премии Международной академической
издательской компании "МАИК-НАУКА"
.
-

 
-
 


Выдающийся учёный с мировым именем Тасолтан Тазретович Басиев
скончался 26 февраля 2012 года.

Похоронен он на Ивановском кладбище (уч. № 1)
(Московская область, Ленинский район
,
деревня Ямонтово
)


(увеличить фото) Московская область, Ленинский район, деревня Ямонтово, Ивановское кладбище (уч. № 1), могила Т.Т. Басиева (вид 1, июнь 2012 года) (увеличить фото) Московская область, Ленинский район, деревня Ямонтово, Ивановское кладбище (уч. № 1), могила Т.Т. Басиева (вид 2, июнь 2012 года)

(для просмотра снимка в полноразмерном виде,
кликните левой кнопкой "мыши" по
выбранной вами фотоссылке)

 

 
-
 


При создании страницы использованы тексты биографии Т.Т. Басиева
опубликованные на сайтах:


Страница Т.Т. Басиева на сайте Российской Академии наук

И

Страница Т.Т. Басиева на сайте Института общей физики имени А.М. Прохорова

Ссылка по теме:
"Вспоминая..." (памяти Т.Т. Басиева)
(автор - А.Я. Карасик, доктор физико-математических наук,
профессор, заведующий сектором ИОФ РАН имени А.М. Прохорова)

 

 
    -

Возврат в мартиролог "Косионавты и астронавты..."