|
Родился 29 июня 1937 года
в городе Магнитогорске,
Челябинской области.
Окончил
Лейпцигский университет
в 1962 году.
Член-корреспондент
(с 1994 года), а с
2003 года -
Действительный член
Российской Академии наук (Отделение
химии и наук о материалах)
Заведующий лабораторией Института общей и
неорганической химии РАН
(ИОНХ
РАН) Вадим
Иванович Нефёдов разработал теорию
переноса электронной плотности между лигандами и предсказал наличие
цис-влияния в соединениях непереходных элементов.
 Выявил
закономерности в
распределении электронной плотности в структуре
валентных уровней и установил ряды донорно-акцепторной активности лигандов.
Теоретически обосновал
и экспериментально доказал связь
этих рядов
с рядом взаимного влияния лигандов.
Разработал методы определения эффективного
заряда атома в соединении
и потенциала Маделунга и
количественного рентгеноэлектронного
анализа поверхности твёрдых тел.
Изучал деградацию высокотемпературных
сверхпроводников при
различных физико-химических воздействиях.
Им была
разработана теория рентгеноэлектронного анализа
поверхности твёрдых тел, в
том числе и в
глубь образца до
50 А.
Экспериментально определены факторы
чувствительности большинства элементов.
Проведены исследования катализаторов,
полупроводников и
сверхпроводников,
сплавов,
стёкол,
минералов, в том
числе лунного
реголита, изучены
процессы миграции радиоактивных элементов
и роль гуминовых кислот в этих процессах.
Показана роль недипольных переходов
для количественного рентгеноэлектронного
анализа.
Разработаны методы рентгеноэлектронного
определения ряда структурных характеристик химических соединений.
Экспериментально исследованы
и обобщены результаты
по электронному строению свыше 1000
химических соединений.
Результаты исследований
В.И. Нефедова
позволили
решить крупные прикладные проблемы,
связанные с
элементной базой современной электроники.
При
его участии
впервые в
мире освоена длинноволновая рентгеновская
спектроскопия.
Экспериментально обнаруженное
и теоретически
объясненное наличие квазистационарных состояний
в рентгеновских спектрах поглощения
химических соединений зарегистрировано как открытие
(Государственный регистрационный № 297).
Результаты фундаментальных исследований
обобщены в 12
монографиях.
Предложены новые принципы конструирования
рентгеноспектральных приборов
и блоков.
Разработан комплекс приборов
для
всего диапазона рентгеновского излучения
и
организован
их серийный выпуск
на
опытном заводе Сибирского отдерения АН СССР
и
НПО "Буревестник"
(г. Ленинград).
Внедрение приборов
в
научных
и
производственных учреждениях Москвы,
Ленинграда,
Новосибирска,
Свердловска,
Ижевска,
Воронежа
позволило
решить ряд важных прикладных проблем,
связанных
с
современным материаловедением,
отказаться от
импорта приборов этого класса
и
наладить их экспорт.
Им опубликовано свыше 400 статей,
10 монографий,
получено
6 авторских свидетельств.
Вадим Иванович Нефёдов
был Главным редактором журнала
"Неорганические материалы",
членом редколлегии журнала "J. Electron Spectroscopy
Related & Phenomena".
Являлся Заместителем Председателя Научного
совета РАН по неорганической химии.
Многие годы был
членом
Высшей аттестационной комиссии
и членом ученого совета научного центра
в Розендорфе
(Германия).
Награды:
Вадим Иванович Нефёдов -
Лауреат Государственных премий СССР
и РСФСР.
Государственная премия СССР
присуждена
ему Постановлением ЦК КПСС
и
Совета Министров СССР от
31 октября 1985 года (диплом
№ 16719)
"За цикл работ "Разработка метода
фотоэлектронной спектроскопии и его применение в науке и технике",
опубликованных в 1961-1983 годах".
Государственная премия РСФСР
(диплом № 000036)
присуждена
ему в
1989 году
(в составе
авторского коллектива:
Л.Н. Мазалов,
В.И. Нефедов,
Э.З.
Курмаев,
В.В. Немошкаленко,
Т.М. Зимкина,
В.А. Фомичев,
А.Т. Шуваев,
И.А. Брытов).
Постановлением Совета министров РСФСР
от
12 апреля 1989 года
"За разработку теории, методов и приборов для
рентгеноспектральных
исследований химической связи".
В.И. Нефёдов -
Лауреат международных премий
“Рентгеновский профессор”
и
Фонда имени А. Гумбольда.
|
