Родился 8 июля 1921 года в Москве, в семье Вавилова Сергея Ивановича
(1891-1951) - Выдающегося учёного в области физики и люминесценции;
основателя научной школы физической оптики в СССР;
организатора и популяризатора науки, Президента Академии наук СССР;
Основателя и первого Директора Физического института имени П.Н. Лебедева
Академии наук СССР; Научного руководителя Ленинградского
оптического института, ныне носящего его имя.

В 1939 году Виктор Вавилов окончил одну из средних общеобразовательных
школ города Ленинграда.
С юных лет увлекался физикой.

По предложению своего отца - он перевел с английского на русский язык биографию известного американского физика - Роберта Вуда, которая потом выдержала
несколько изданий и возбудила интерес к науке у многих молодых людей.

После окончания школв В.С. Вавилов поступил на физический факультет
Ленинградского университета, но уже через полгода он был призван в ряды
Рабоче-крестьянской Красной Армии.

Он - участник Финской и Великой Отечественной войн.

С 22 июня 1941 года по июль 1942 года служил в техническом составе ВВС.
Участвовал в обороне Ленинграда, затем - поступил в Военно-воздушную
Академию, где учился до конца войны.

После демобилизации В.С. Вавилов продолжил учёбу в Ленинградском
государственном университете, а дипломную работу выполнил в Государственном Оптическом Институте под руководством академика Александра Алексеевича Лебедева
по фотоэлектрическим свойствам сульфида свинца.
После окончания в 1949 году ЛГУ он работал в области ядерной физики и, как
специалист, хорошо знавший английский язык, был рекомендован в Советскую
часть Комиссии по атомной энергии ООН в Нью-Йорке, возглавляемую академиком
Дмитрием Владимировичем Скобельцыным.
Там он обратил внимание на американские работы по воздействию излучений
на полупроводники.

Физика и техника полупроводников для Bиктора Сергеевича Вавилова стали главным
делом его жизни с тех пор, как он пришел в Лабораторию физики полупроводников
в 1954 году и начал свою научную деятельность с активного участия в создании
первых в СССР сплавных и диффузионных диодов и триодов на германии и кремнии.

В 1952 году он защитил кандидатскую диссертацию на тему "Электронно-оптический
метод исследования микрополей и его применение к полупроводникам", а затем
в 1960 году докторскую диссертацию на тему "Действие излучений на германий
и кремний".

На физическом факультете МГУ Виктор Сергеевич работал с 1956 года до последнего
дня своей жизни (с 1956-го года - ассистент, с 1961 года - доцент,
с 1963 года - профессор, в 1961-1991 годах - заведующий кафедрой).

В течение последующих двух лет он работал научным сотрудником
в Государственном оптическом институте, а с 1951-го по 1999 год - в Физическом
институте имени П.Н. Лебедева Академии наук СССР (с 1991 года - Российской
Академии наук), где возглавлял научный коллектив Лаборатории физики
полупроводников, и одновременно, с 1956 года вёл педагогическую работу
в Московском Государственном университете имени М.В. Ломоносова в качестве профессора и заведующего Кафедрой полупроводников физического факультета.

Основные работы B.C. Вавилова связаны с исследованиями процессов
взанмодействия электромагнитного излучения и заряженных частиц высокой
энергии с полупроводниками, включая радиационную ионизацию, свойства
неравновесной плазмы, люминесценцию полупроводников, а также процессы
образования радиационных дефектов, ионную имплантацию и синтез
полупроводниковых соединений с использованием ускоренных ионов.



В 1950-х годах им совместно с Л.С. Смирновым, В.М. Пацкевичем
и М.В. Чукичевым были проведены опыты позволившие определить энергию
образования пары носителей заряда при торможении быстрых электронов,
nоглощении и рассеянии гамма-излучения в германии и кремнии.

Данные о зависимости энергии образования пар носителей от вида и энергии
ионизирующих частиц послужили основой создания полупроводниковых детекторов; импульсное электронное возбуждение стало впоследствии одним из методов
достижения режима генерации в полупроводниковых лазерах.

Значительная часть исследований B.C. Вавилова была посвящена оптическим
процессам и фотоэлектрическому эффекту в полупроводниках.
Обнаруженнное им и К.И. Брицыным в германии и кремнии возрастание квантового
выхода фотоионизации до значений, превышающих единицу, было использовано
для развития модели процессов ударной ионизации.
Среди работ oтносящихся к оптическим явлениям в полупроводниках, проведенных
B.C. Вавиловым, следует выделить экспериментальные исследования
эффекта Келдыша-Франца в кремнии, в которых получены первые данные
как о спектральной зависимости, так и кинетике данного явления.
С исследованием явлений фотоионизации связан ряд pa6oт B.C. Вавилова, приведших
к практическому осуществлению и внедрению в космическую энергетику
отечественных кремниевых солнечных 6aтарей.
Им обнаружено залечивающее действие примеси лития в кремнии на радиационные дефекты.
Это позволило существенно продлить срок службы кремниевых солнечных
батарей на спутниках.

 Им совместно с Г.Н. Галкиным и В.М. Маловецкой впервые предложен и осуществлен
метод просветления поверхности солнечных батарей, широко применяемый
в настоящее время.

Большой цикл pa6oт Виктора Сергеевича Вавилова и его сотрудников посвящён
изучению природы и устойчивости радиационных дефектов в германии, в кремнии
и других полупроводниках.

Следует отметить, что предпринятые в ФИАНе B.C. Вавиловым и его аспирантами
А.Ф. Плотниковым, И.П. Акимченко и В.Д. Ткачёвым исследования энергетического
спектра радиационных дефектов методами анализа спектров и кинетики
фотопроводимости явились новым этапом в изучении радиационных дефектов
в полупроводниках.
Во многих советских и зарубежных лабораториях (во Франции, США и Японии) тогда же были предприняты исследования как логическое продолжение работ первоначально выполненных в ФИАНе.
Выяснение процессов взаимодействия дефектов с примесями позволило
B.C. Вавилову совместно с аспиранткой И.В. Крюковой и М.В. Чукичевым предложить
и осуществить метод, позволяющий повысить радиационную стойкость путём введения
в него легко подвижной примеси лития.
Этот метод нашел важные практические применения в СССР и за рубежом.
В настоящее время метод введения "центров аннигиляции" радиационных дефектов, впервые примененный B.C. Вавиловым и его учениками, представляется одним
из перспективных путей повышения радиационной стойкости полупроводников.

Цикл работ по радиационным дефектам был продолжен исследованиями реакций
в кристаллах, стимулированных неравновесными подвижными междоузельными
атомами и пустыми узлами - вакансиями.
Именно эти работы заложили основу таких перспективных и популярных в настояшее
время методов твердотельной электроннки как ионное и трансмутационное
легирование и "лазерный" отжиг.

Итоги исследований, перечисленных выше, были обобщены в докторской диссертации, защищенной Bиктором Сергеевичем Вавиловым в 1961 году, а также в монографии
"Действие излучений на полупроводники", изданной в СССР в 1963 году
и в США в 1965 году.

В последующие годы особое внимание в работах B.C. Вавилова было уделено вопросам излунательной рекомбинации при импульсном электронном возбуждении, которые
привели к осуществлению лазерного режима в некоторых кристаллах
полупроводников A^IIB^VI.
В дальнейшем, помимо исследований люминесценции сильно возбужденных полупроводников, были предприняты дополнительные эксперименты (определение сечений поглощения света свободными носителями; выяснение влияния неравновесной плазмы на оптические параметры возбужденного кристалла).
Результаты этих исследований, а гакже изучение ударной рекомбинации
(процессы Оже), проведённые B.C. Вавиловым, Г.Н. Галкиным и аспирантом
Л.M. Блиновым, опередили аналогичные исследования за рубежом
(в Германии и Швеции).

B.C. Вавилов с Г.Н. Галкиным и M.E. Епифановым обнаружили явление интенсивного фотонного переноса в арсениде галлия.
Meтод исследования явлений поглощения и фотоионизации в далекой инфракрасной области, предложенный B.C. Вавиловым и примененный им совместно с В.Н. Мурзиным
и В.А. Зайцем для изучения экситонов и неравновесной плазмы в германии при низких температурах, позволил получить новые данные об знергетическом спектре экситонов
и явлениях и конденсации в сильно возбужденных полупроводниках.
 Вслед за экспериментами, впервые проведенными в ФИАНе, это направление стало развиваться в других отечественных и зарубежных лабораториях.

Виктор Сергеевич Вавилов был одним из инициаторов работ по использованию свойств алмаза и перспектив его применения в электронике.
B.C. Вавиловым совместно с сотрудниками методом ионной имплантации были созданы устойчивые полупроводниковые слои с дырочной и электронной проводимостью
вблизи поверхности изолирующих кристаллов алмаза, а также получены слои
карбида кремния на алмазе.
Результаты этих исследований опередили достижения зарубежных учёных
работавших в этом же направлении в частности, в США и Великобритании.

Слоистые структуры металл - диэлектрик - полупроводник, а также другие структуры
могут быть использованы для запоминания и считывания изображений и сигналов.
Работы, выполненные по его инициативе совместно с А.Ф. Плотниковым и В.Э. Шубиным, показали, что МДП-структуры на основе lnSb обнаруживают свойства nepспективные
для практических применений.
Книги "Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах", написанная B.C. Вавиловым и Н.А. Ухиным и посвященная действиям радиации
на полупроводниковые материалы и приборы, была встречена снециалистами
с большим интересом, как и монографии B.C. Вавилова "Механизмы возникновения радиационных дефектов и их миграции" (в соавторстве с А.Е. Кивом и О.Р. Ннязовой)
и "Электронные и оптические процессы в алмазе" (совместно с А.А. Гиппиусом
и Н.А. Коноровой).

Под руководством Bиктора Сергеевича Вавилова защищено 26 кандидатских
диссертаций.
Многие его ученики - Л.С. Смирнов, А.Ф. Плотников. В.Д. Ткачев, Л.К. Водопьянов,
Г.Н. Галкин, Б.Н. Мукашев, А.Е. Кив, А.А. Гиппиус, Л.M. Блинов, A.M. Зайцев, К.И. Брицын,
И.В. Крюкова, Е.В. Шатковский, К.Х. Нусупов и другие - доктора наук, и некоторые из них в разное время руководили и в настоящее время возглавляют научные коллективы.

B.C. Вавилов вёл обширную научно-организационную pa6oтy как председатель
Секции физики ионной имплантации Научного совета Академии наук СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников" и учёный секретарь Комиссии по присуждению
Золотой медали имени П.Н. Лебедева при Президиуме АН СССР.

Награды:
За работы по солнечной энергетике, полупроводниковой электронике и созданию
новой техники Виктор Сергеевич Вавилов был дважды удостоен Государственной
премии СССР (в 1971-м и 1988 годах).

За создание и внедрение измерительной техники, а также за работы по применению природных алмазов в электронике он был удостоен Премии
Совета Министров СССР (в 1986 году).

В 1983 году В.С. Вавилов был удостоен звания "Заслуженный деятель
науки и техники РСФСР".

За выдающиеся работы в области физики (экспериментальное изучение
радиационных эффектов в полупроводниках) в 1987 году Президиум Академии
наук СССР присудил ему Золотую медаль имени П.Н.Лебедева.

Виктор Сергеевич Вавилов был награжден орденом Трудового Красного Знамени
(в 1961 году, за pa6oты по применению полупроводников в космических
исследованиях), орденом Отечественной войны II степени, а также медалями:
"За оборону Ленинграда" (1943), "За боевые заслуги" (1945),
"За Победу над Германией в Великой Отечественной войне", "За доблестный труд.
В ознаменование 100-летия В.И. Ленина" и другими наградами.

----------
Вавилов Николай Иванович (1887 - 1943), старший брат С.И. Вавилова,
дядя В.С. Вавилова.
Выдающийся российский и советский учёный-генетик, ботаник, селекционер, географ, Действительный член Академии наук СССР, Академии наук Украинской ССР
и ВАСХНИЛ, невинно арестованный на основании сфабрикованных обвинений
и скончавшийся в Саратовской тюрьме 26 января 1943 года.

Олег Николаевич Вавилов - (1918 - 1946), двоюродный брат В.С. Вавилова,
сын Н.И. Вавилова от первого брака с Е. Н. Сахаровой.
Выпускник физического факультета МГУ, кандидат физико-математических наук, астроном, физик-теоретик, научный сотрудник лаборатории космических лучей ФИАНа. После защиты диссертации уехал с группой альпинистов на Домбай, где погиб
4 февраля 1946 года.
Существуют противоположные версии гибели Олега Вавилова.
По одной из них (её не исключает его сводный брат Юрий Вавилов - прим.) Олег Николаевич был убит агентом НКВД, входившим в состав группы. По другой версии гибель Олега Вавилова была несчастным случаем.
Был первым мужем Лидии Васильевны Курносовой (1918 - 2006) - астрофизика. Она окончила физический факультет МГУ в 1941 году; (перешла на него с механико-математического по рекомендации С.И. Вавилова); с 1946 года занималась в ФИАНе исследованием космических лучей; с 1958 года была одним из руководителей исследования космических лучей с помощью Искусственных спутников Земли в СССР и России. Была избрана членом Международной астронавтической академии (1969), доктор физико-математических наук (1987).
Вместе со вторым мужем - астрофизиком Моисеем Иосифовичем Фрадкиным, Лидия Васильевна пережила ещё одну личную трагедию - гибель 2 марта 2000 года от рук террористов в Чечне их единственного сына - астрофизика Михаила Моисеевича Курносова. Он был захвачен в заложники во время его научной командировки в Кабардино-Балкарию, затем был перевезён в Чечню, где он скончался от издевательств и побоев.
Ему было всего 37 лет.

Юрий Николаевич Вавилов (р. 1928), двоюродный брат В.С. Вавилова,
сын Н.И. Вавилова от второго брака с Е.И. Барулиной.
Почётный профессор Саратовского государственного аграрного университета имени
Н.И. Вавилова. Физик, Доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник лаборатории андронных взаимодействий Отделения ядерной физики и астрофизики ФИАН.
С конца 1950-х годов, вскоре после реабилитации Н.И. Вавилова (в 1955 году), занимается поиском и публикацией сведений об отце - сначала самостоятельно, а с 1966 года, также в рамках Комиссии Академии наук по сохранению и разработке научного наследия Н.И. Вавилова. Кроме того, в последние годы прилагает усилия, чтобы развеять мнение о "предательстве" С.И. Вавилова, согласившегося возглавить Академию наук, доказывая желающим представить всё в другом свете, что работа Сергея Ивановича на посту Президента АН СССР досталась ему нереальной ценой - неимоверными усилиями по возвращении брату честного имени, подорванным здоровьем, и как следствие - безвременной кончиной.
 

Выдающийся учёный Виктор Сергеевич Вавилов
скончался 25 января 1999 года в день очередной годовщины смерти отца.

Похоронен он в Москве, на Новодевичьем кладбище
(уч. № 1, ряд № 42, место № 7), рядом с могилами родителей и сына -
Сергея Викторовича Вавилова (1948 - 1968) - студента МГУ.



(для просмотра снимка в полноразмерном виде,
кликните левой кнопкой "мыши" по выбранной Вами фотоссылке)
 

При создании страницы использованы материалы и тексты некрологов
Памяти Виктора Сергеевича Вавилова:





Использованы также биографические сведения
В.С. Вавилова опубликованные на сайте