|
Родился
25 января 1929
года
в
Ленинграде.
Его отец -
Лебедев Александр Алексеевич
(1893
- 1969)
-
Герой Социалистического Труда; Лауреат двух Сталинских премий; Лауреат Ленинской премии;
Действительный член Академии наук СССР;
Доктор физико-математических
наук;
Заведующий сектором
прикладной
физической оптики
Государственного оптического института имени С.И. Вавилова; Профессор;
заведующий кафедрой электрофизики
физического
факультета Ленинградского Государственного университета;
Научный
руководитель НИИ-801
Народного комиссариата оборонной
промышленности СССР;
учёный в области физики, прикладной
и электронной
оптики, оптики
атмосферы
и гидрооптики, космического излучения,
лазерной техники, теории стеклообразного
состояния, изучения свойств
и строения стёкол.
Научная деятельность
Александра Александровича Лебедева
началась под влиянием отца
и была неразрывно связана с физикой
полупроводников
и многие его работы имели пионерский характер.
В течение 48-ми
лет
Александр Александрович работал в
Физико-техническом институте, который носит имя своего основателя
- Выдающегося физика,
академика
Абрама Фёдоровича Иоффе.
Закончив
физический факультет Ленинградского государственного университета,
А.А.
Лебедев
пришел в ФТИ имени А.Ф. Иоффе в 1951 году.
Вместе с ним начинал свою научную деятельность будущий Академик,
общественный деятель и Лауреат Нобелевской премии
Жорес Иванович Алфёров.
Он наладил выращивание
чистых монокристаллов германия, активно участвовал
в создании первых
отечественных полупроводниковых приборов, по его инициативе впервые были
созданы диоды с двойной инжекцией из компенсированного кремния.
Исследования фотоэлектрических явлений в новых
тройных полупроводниковых соединениях позволили определить или уточнить
зонную структуру соединений
и создать новые поляризационно-чувствительные
фотоприемники.
Александр Александрович
был одним из основоположников ёмкостной
спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках.
Идентификация примесей с
глубокими уровнями, контролирующих время жизни носителей тока, позволила
оптимизировать технологию изготовления полупроводниковых приборов различного
назначения.
Доктор физико-математических наук
(с 1984
года),
главный научный сотрудник
Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Александр Александрович Лебедев
вырастил целую плеяду молодых учёных
и
пользовался заслуженным
признанием мировой научной общественности.
Он автор и соавтор более трёхсот
научных статей и монографии.
Его исследования по изучению фотоэлектрических явлений
в компенсированном
кремнии хорошо известны специалистам и были
использованы при разработке
фотоэлектрических приборов.
Результаты полученные при разработке и создании полупроводников нашли
широкое применение в радиотехнической промышленности, а также
в
авиационной
и ракетно-космических отраслях.
Дело
Александра Александровича Лебедева
продолжает его сын и полный тёзка
Лебедев Александр Александрович - младший
(родился в 1959
году) -
Доктор физико-математических наук,
заведующий лабораторией
Физико-технического института имени А.Ф. Иоффе, учёный в
области экспериментальной физики и физики полупроводников.
Награды:
В 1958 году
за создание первых транзисторных
радиоприёмников
Александр Александрович Лебедев
был удостоен
Премии Совета Министров СССР.
Александр Александрович Лебедев
был награжден медалями
"За доблестный труд
во время Великой Отечественной войны"
(За участие в трудовом фронте во время войны),
"30 лет Победы в Великой Отечественной войне" и
"50 лет Победы в Великой Отечественной войне".
|
